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Jupiter-V02-I設備是應用于LED芯片上ITO 鍍膜的專有設備。該設備采用磁控濺射和離子束技術,實現在Si基、GaAs基以及GaN基的晶元基板上的ITO 薄膜沉積。配合相應的薄膜沉積工藝,由Jupiter-V02-I所提供的ITO 薄膜,不但具有優異的結合力,同時也具良好的均勻性。由于采用獨特的靶材設計,可使ITO 靶材消耗量降低約18%,有效降低了ITO 靶材使用成本。
        Jupiter-V02-I設備具有良好穩定性和高度自動化程度,也可根據客戶的要求實現多功能和多用途以適用于客戶獨立的工藝開發要求。 

技術優勢:
PVD 薄膜沉積技術:磁控濺射和離子束
工藝氣體:5N Ar, 5NO2
兩吋晶圓裝載量:112片;四吋晶圓裝載量:28片
薄厚均勻性:±5%
在線膜厚檢測和控制
控制方式:PLC+工業控制電腦全自動控制

典型應用:
  LED 芯片ITO薄膜制作
 
 

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